Benali Rerbal - Maître assistant (A)
Equipe : Composés semiconducteurs
Encadrant : Pr. G. Merad
e-mail : [email protected]
Equipe : Composés semiconducteurs
Encadrant : Pr. G. Merad
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Magister en physique
Option: Physique de la Matière Condensée et des Semiconducteurs. Université Abou Bekr Belkaïd de Tlemcen.
Intitulée: Etude par la méthode du pseudopotentiel empirique de l’effet de pression sur les propriétés électroniques et optiques des semiconducteurs III-V à base d’Indium. Soutenue en juillet 2004.
Résumé des principaux résultats
Notre étude s’est basée essentiellement sur trois composés binaires du groupe III-V à base d’indium, à savoir le phosphure d’indium (InP), l’arséniure d’indium (InAs), et l’antimoniure d’indium (InSb). En raison de leurs diverses propriétés électroniques avantageuses, les semi-conducteurs III-V à base d’indium sont introduits dans la plupart des dispositifs optoélectroniques, dans le domaine de l’électronique rapide, et ils sont beaucoup utilisés comme substrats pour concevoir des alliages ternaires et quaternaires.
On a étudié leurs propriétés structurales ainsi qu’électroniques (énergies de gaps directs et indirects et sur la densité de charge de valence ) sous effet de pression par la méthode FP-LAPW couplée à la LDA.
On a étudié leurs propriétés structurales ainsi qu’électroniques (énergies de gaps directs et indirects et sur la densité de charge de valence ) sous effet de pression par la méthode FP-LAPW couplée à la LDA.
Date d’inscription en doctorat : Décembre 2004
Intitulé: Etude Expérimentale et Théorique des Propriétés de Transport des Semi-conducteurs Magnétiques Dilués II-VI dopés par du Mn.
Description du sujet de Thèse:
Le contenu de cette thèse est scindé en deux études ; une expérimentale consistant à faire l’élaboration en épitaxie par jets moléculaires de boites quantiques de semi-conducteurs magnétiques dilués à base de Manganèse (Mn), ainsi qu’une caractérisation théorique basée sur des méthodes de type ab-initio afin d’étudier les propriétés de transport, de diffusion, et les propriétés structurales de ces boites quantiques CdTe/ZnMnTe.
Intitulé: Etude Expérimentale et Théorique des Propriétés de Transport des Semi-conducteurs Magnétiques Dilués II-VI dopés par du Mn.
Description du sujet de Thèse:
Le contenu de cette thèse est scindé en deux études ; une expérimentale consistant à faire l’élaboration en épitaxie par jets moléculaires de boites quantiques de semi-conducteurs magnétiques dilués à base de Manganèse (Mn), ainsi qu’une caractérisation théorique basée sur des méthodes de type ab-initio afin d’étudier les propriétés de transport, de diffusion, et les propriétés structurales de ces boites quantiques CdTe/ZnMnTe.
Publications
- Ab initio investigation of the CdTe (001) surface. B. Rerbal, G. Merad, H. Mariette, H.I. Faraoun and J.-M. Raulot. Superlattices and Microstructures 46 (2009) 733-744
- Ab-initio calculations of valence band splitting under pressure in In-based III-V semiconductors, B. Rerbal, G. Merad, J. Cibert, H. Aourag, Algerian Journal of Advanced Materials, 3, 361, 2006.
- First-principles calculations of energetic properties of vacancies, Mn-atomic defects in CdTe, G. Merad, B. Rerbal, H. Aourag, J. Cibert, in Quantum dots–Growth, Behaviour and applications, edited E.A. Stach, C.R. Taylor, Z.M. Wang, Q-K. Xue (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 959E, Warrendale, PA, 2007), 0959-M17-01
Communications internationales
- Détermination des Propriétés électroniques et Optiques de l’InP en vue d’une Application en Energie Solaire, B. Rerbal, et G. Merad. International Congress on Photovoltaic and Wind Energies Tlemcen, Algeria (December 20-22, 2003 (ICPWE)).
- First-principles investigation of the electronic properties of the InP under pressure. B. Rerbal, A.E. Merad, J. Cibert, H. Aourag, Forth Arabic Congress of Materials Science, 26-28 September 2005, Tripoli, Libya.
- Ab-initio calculations of valence band splitting under pressure in In-based III-V semiconductors, B. Rerbal, G. Merad, J. Cibert, H. Aourag, 4ème Congrès International des Sciences et Génie des matériaux (CISGM-4), 2-4 Mai 2006, Tlemcen.
- First-pinciples calculations of structural and electronic properties of In-V semiconductors. B. Rerbal, et G. Merad, Second Algerian Congress of Crystallography, 17-21 April 2005, Constantine, Algeria.
- First-principles calculations on microscopic aspects of Mn diffusion. B. Rerbal, G. Merad, J. Cibert and H. Aourag. Cinquième conférence internationale sur la science des matériaux (CSM-5), 17-19 Mai 2006, Beyrouth, Liban.
- First-principles calculations of energetic properties of vacancies, Mn-atomic defects in CdTe, B. Rerbal, G. Merad, J. Cibert and H. Aourag. Fifth international conference on inorganic materials (FICIM-5), 23-26 Septembre 2006, Ljubljana, Slovénie.
- Ab-initio calculations of the CdTe/ZnTe layers surface energy, B. Rerbal, G. Merad, J-M. Raulot,and H. Mariette, 2nd international symposium of theoretical chemistry (ISTC’08), 30-1 Juin 2008, Alger.
Communications nationales
- "Ab-initio study of the formation of CdTe based quantum dots". B. Rerbal, G. Merad, H. Faraoun et J-M Raulot. Colloque National sur les Techniques de Modélisation et de Simulation en Science des Matériaux, Sidi Bel-abbès, 23-24 Novembre 2009 (Algérie).